陶瓷覆铜板
DBC陶瓷基板和AMB陶瓷基板都属于平面陶瓷基板。
覆铜陶瓷基板( Direct Bond Copper,DBC )是一种通过热熔式粘合法，在高温下将铜箔直接烧结到Al2O3和AlN陶瓷表面而制成的一种复合基板，应用于各类电子模块的封装，覆铜面可以刻蚀出各种图形，是一种无污染，无公害的绿色产品，使用温度相当广泛。
DBC的性能优势：良好的机械强度；良好的热传导性；良好的绝缘性；良好的热稳定性；热膨胀系数接近硅；像PCB板一样可以蚀刻各种图形。
DBC基板广泛应用于半导体致冷器，电子加热器，大功率电力半导体模块，功率控制电路，功率混合电路，智能功率组件，高频开关电源，固态继电器，汽车电子，太阳能电池板组件，电讯专用交换机，接收系统，激光等多项工业电子领域。
AMB（Active Metal Brazing，活性金属钎焊）工艺是DBC工艺技术的进一步发展，它是利用钎焊料中含有的少量活性元素Ti、Zr与陶瓷反应生成能被液态钎料润湿的反应层，从而实现陶瓷与金属接合的一种方法。
AMB基板是靠陶瓷与活性金属焊膏在高温下进行化学反应来实现结合，因此其结合强度更高，可靠性更好，因此该工艺更适合制备在电动汽车、动力机车用IGBT模块封装用陶瓷覆铜基板。
AMB的性能优势：良好的结合强度和形状适应性；良好的电流承载能力；更好的散热性能；更好的力学性能；更好的可靠性。
AMB基板应用领域：AMB基板是靠陶瓷与活性金属焊膏在高温下进行化学反应来实现结合，因此其结合强度更高，可靠性更好，更适合制备在电动汽车、动力机车用IGBT模块封装用陶瓷覆铜基板。尤其在风能、太阳能、热泵、水电、生物质能、绿色建筑、新能源装备、电动汽车、轨道交通等重要领域，电力电子技术的高速发展将对IGBT模块封装的关键材料---陶瓷覆铜板形成巨大需求。
AMB覆铜板三种材料
1、AMB氧化铝基板
相对地，氧化铝板材来源广泛，是性价比高的AMB陶瓷基板。但由于氧化铝陶瓷的热导率低、散热能力有限，AMB氧化铝基板多用于功率密度不高且对可靠性没有严格要求的领域。
2、AMB氮化铝基氮化铝板
AMB基板具有较高的散热能力，从而更适用于一些高功率、大电流的工作环境。但是由于机械强度相对较低，氮化铝AMB覆铜基板的高低温循环冲击寿命有限，从而限制了其应用范围。氮化铝AMB基板具有较高的散热能力，从而更适用于一些高功率、大电流的工作环境。但是由于机械强度相对较低，氮化铝AMB覆铜基板的高低温循环冲击寿命有限，从而限制了其应用范围。
3、AMB氮化硅基板
氮化硅陶瓷，具有 α-Si3N4和β-Si3N4两种晶型，其中α 相为非稳定相，在高温下易转化为稳定的 β 相。高导热氮化硅陶瓷内 β 相的含量一般大于40%。凭借氮化硅陶瓷的优异特性，AMB氮化硅基板有着优异的耐高温性能、抗腐蚀性和抗氧化性。
AMB陶瓷基板各领域应用:
活性金属钎焊氮化硅陶瓷覆铜电路板（AMB-Si3N4），具有高导热、高绝缘、高热容以及与芯片匹配的热膨胀系数等特性，是功率半导体行业不可缺少的封装材料。
产品应用于：光伏风电、电网输配电、电动汽车、牵引系统、高端白色家电等领域。
AMB-AlN陶瓷覆铜板，具有高导热、高绝缘、高热容以及与芯片匹配的热膨胀系数等特性，是功率半导体行业不可缺少的封装材料。主要应用于：轨道交通、智能输电、电动汽车、高端白色家电以及高端制冷器行业。
产品应用于：光伏风电、高端白色家电、轨道交通、医疗、柔性电网输配电、高端工业应用等领域。
DBC（Direct Copper Bonding，直接覆铜）工艺，是一种直接将纯铜键合到陶瓷上的方法。DBC陶瓷覆铜电路板，相对于AMB工艺的产品，具有高的性价比，为中低功率半导体应用产品保证绝缘性能的同时提供足够的热导率、机械性能和电性能。
产品应用于：白色家电、工业电机、半导体制冷器、工业驱动器、光伏逆变器、智能电网、不间断电源、汽车电气化等领域。
DBC-ZTA陶瓷覆铜板是基于掺锆的氧化铝Al2O3陶瓷的产品，相较于DBC-Al2O3陶瓷覆铜板，具有更长的使用寿命，更优的可靠性。
产品应用于：白色家电、风力涡轮、电动汽车、变频器及不间断电源UPS、光伏逆变等领域。
为了使电子陶瓷的绝缘导热性能和金属的导体性能的接合，通过高精度焊料印刷以及真空烧结的工艺开发了厚膜印刷AlN陶瓷电路板。此工艺可以根据客户的图形，一次成型，具有通孔密实，结合力高等特点。
产品应用于：微型半导体制冷片、IR LED、高功率LED、5G通讯、UV LED、半导体激光器等领域。
AMB陶瓷覆铜板真空钎焊炉
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| VF1300-422 | |
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| VF1300-644 | |
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| VF1300-966 | |
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